極端紫外光リソグラフィ

取組要旨

パワーレーザーを高原子番号物質に集光照射すると，物質はプラズマ化し，そのプラズマから極めて高輝度なX線が放射される．このX線を半導体製造に利用するのが，極端紫外光リソグラフィーである．我々の研究室は15年前から極端紫外光リソグラフィーのための光源開発に関わっており，現在はその実装において問題となった課題解決のための基礎研究を企業と協力するなど，研究開発エコシステムを地で行っている．

研究成果・インパクト

クラウドサービス，テレワーク，オンライン教育の利用拡大は，教育機会の制限の撤廃，人や国の不平等の解消に繋がるため，それらを支える先端半導体への期待が大きい．加えて，大規模数値シミュレーションは，高速な中央演算処理装置と膨大なメモリ空間によって実現する．全球スケールと量子スケールをまたぐ多階層多次元数値シミュレーションは，気候変動等の人類が直面している課題の解決を加速すると期待される．省エネルギーで先端的かつ高性能な半導体デバイスの製造においては，極端紫外光を用いたリソグラフィ(EUVL）が主流になる．

担当研究者

藤岡慎介，田中のぞみ，朱保君

※本学ResOUのホームページ「究みのStoryZ」に、インタビュー記事が掲載されています。是非ご覧ください。
藤岡 慎介
https://resou.osaka-u.ac.jp/ja/story/2014/201409_01/

備考

キーワード

パワーレーザー，プラズマ，X線

応用分野

先進半導体デバイス製造，オンライン教育，高速通信，全球規模シミュレーション