研究 (Research)
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半導体デバイスのモデリング・シミュレーション
教授 森 伸也（工学研究科 電気電子情報通信工学専攻） MORI Nobuya (Graduate School of Engineering)
研究内容
第一原理計算から経験的モデル、原子論から連続体、量子論から古典論までをつなぐマルチスケール・マルチフィジックスの半導体デバイスのモデリング・シミュレーションを実現。デバイスシミュレータの高速化に向けた高速計算手法も開発。
担当研究者
教授 森 伸也（工学研究科 電気電子情報通信工学専攻）
キーワード
デバイスシミュレーション／量子輸送／脱炭素社会
重点分野
ＡＩ・データ／情報・通信／光・量子／カーボンニュートラル／革新的マテリアル
応用分野
次世代トランジスタ開発／パワーデバイス開発／熱電変換デバイス開発
論文・解説等
[1] G. Mil’nikov et al., RSDFT-NEGF transport simulations in realistic nanoscale transistors, JCEL 22, 1181 (2023).
[2] N. Mori et al., Nano-device simulation from an atomistic view, IEDM 2013.
[3] A. K. Geim et al., Resonant tunnelling through donor molecules, PRB 50, 8074 (1994).