Naフラックス法・OVPE法による高品質ワイドギャップ半導体結晶成長技術

准教授　今西正幸（工学研究科電気電子情報通信工学専攻） IMANISHI Masayuki (Graduate School of Engineering)

研究内容

窒化ガリウム（GaN）結晶は青色発光ダイオードの材料として知られていますが、次世代パワーデバイスや次世代通信システムへの適用が期待されています。これらのデバイスを普及させるためには、GaN結晶の高品質化及び低コスト化が必要です。我々は液相法であるNaフラックス法を用い、高品質かつ大口径のGaN結晶を成長させる技術を確立しました。近年では気相法であるOVPE法と組み合わせ、GaNインゴットの作製を目指しております。また、同じくパワー半導体材料として注目されている酸化ガリウム結晶のOVPE法による高純度化にも取り組んでおります。

担当研究者

准教授　今西正幸（工学研究科電気電子情報通信工学専攻）

キーワード

結晶成長／ワイドギャップ半導体／パワーデバイス／GaN／酸化ガリウム

応用分野

電力変換機器／固体光源（LEDやレーザー）／5G通信技術

論文・解説等

[1] M. Imanishi et al., Cryst. Growth & Des. 17 (2017) 3806.
[2] M. Imanishi et al., Appl. Phys. Express 12 (2019) 045508.
[3] M. Imanishi et al., Appl. Phys. Express 13 (2020) 085510.

連絡先URL

http://crystal.pwr.eng.osaka-u.ac.jp/

※本内容は大阪大学大学院工学研究科2024 研究シーズ集より抜粋したものです。