研究 (Research)
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ワイドギャップ半導体を用いた次世代デバイスの研究開発 (Research and Development of Next-Generation Devices Using Wide Bandgap Semiconductors)
准教授 小林 拓真（工学研究科 物理学系専攻） KOBAYASHI Takuma (Graduate School of Engineering)
研究内容
・ワイドギャップ半導体を用い、高効率電力変換を実現するパワーデバイス、および従来エレクトロニクスの限界を打ち破る量子デバイスの実現を目指す。
・スーパーコンピュータを用いた高精度第一原理計算を駆使し、半導体の材料物性・欠陥物性を解明する。
・原子レベルでの欠陥制御プロセスを開発し、超高性能パワーデバイス・量子デバイスの基盤技術を確立する。
担当研究者
准教授 小林 拓真（工学研究科 物理学系専攻）
キーワード
ワイドギャップ半導体／欠陥制御／パワーエレクトロニクス／量子技術
重点分野
光・量子／カーボンニュートラル／エネルギー
応用分野
電力変換機器／産業機器・家電／鉄道・車両／量子デバイス
論文・解説等
[1] T. Kobayashi et al., J. Phys. D: Appl. Phys. 55, 105303 (2021).
[2] T. Kobayashi,* T. Okuda,* et al., Appl. Phys. Express, 13, 091003 (2020). (*equally contributed)
[3] T. Kobayashi and Y. Matsushita, J. Appl. Phys., 126, 145302 (2019).